總結MOSFET管驅動電路基礎
發布時間:2018-03-02 來源:電子發燒友 責任編輯:lina
【導讀】關於MOSFET很多人都不甚理解,這次小編再帶大家仔細梳理一下,也許對於您的知識係統更加全麵。下麵是對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結,其中參考了一些資料。在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的de導dao通tong電dian阻zu,最zui大da電dian壓ya等deng,最zui大da電dian流liu等deng,也ye有you很hen多duo人ren僅jin僅jin考kao慮lv這zhe些xie因yin素su。這zhe樣yang的de電dian路lu也ye許xu是shi可ke以yi工gong作zuo的de,但dan並bing不bu是shi優you秀xiu的de,作zuo為wei正zheng式shi的de產chan品pin設she計ji也ye是shi不bu允yun許xu的de。
前言
關於MOSFET很多人都不甚理解,這次小編再帶大家仔細梳理一下,也許對於您的知識係統更加全麵。下麵是對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結,其中參考了一些資料。在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候,大部分人都會考慮MOS的de導dao通tong電dian阻zu,最zui大da電dian壓ya等deng,最zui大da電dian流liu等deng,也ye有you很hen多duo人ren僅jin僅jin考kao慮lv這zhe些xie因yin素su。這zhe樣yang的de電dian路lu也ye許xu是shi可ke以yi工gong作zuo的de,但dan並bing不bu是shi優you秀xiu的de,作zuo為wei正zheng式shi的de產chan品pin設she計ji也ye是shi不bu允yun許xu的de。
1、MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被製造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應用的隻有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號。

至於為什麼不使用耗盡型的MOS管,不建議刨根問底。對於這兩種增強型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中,一般都用NMOS。下麵的介紹中,也多以NMOS為主。在MOS管原理圖上可以看到,漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管,在驅動感性負載(如馬達),這個二極管很重要。順便說一句,體二極 管隻在單個的MOS管中存在,在集成電路芯片內部通常是沒有的。下圖是MOS管的構造圖,通常的原理圖中都畫成右圖所示的樣子。 (柵極保護用二極管有時不畫)


2、MOS管導通特性導通的意思是作為開關,相當於開關閉合。NMOS的特性,Vgs大於一定的值就會導通,適合用於源極接地時的情況(低端驅動),隻要柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小於一定的值就會導通,使用與源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是,雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動,但由於導通電阻大,價格貴,替換種類少等原因,在高端驅動中,通常還是使用NMOS。右圖是瑞薩2SK3418的Vgs電壓和Vds電壓的關係圖。可以看出小電流時,Vgs達到4V,DS間壓降已經很小,可以認為導通。

3、MOS開關管損失不管是NMOS還是PMOS,導通後都有導通電阻存在,因而在DS間流過電流的同時,兩端還會有電壓(如2SK3418特性圖所示),這樣電流就會 在這個電阻上消耗能量,這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右,幾毫 歐的也有。MOS在導通和截止的時候,一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程,流過的電流有一個上升的過程,在這段時間內,MOS管的損失是電壓和電流的乘積,叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多,而且開關頻率越快,損失也越大。下圖是MOS管導通時的波形。可以看出,導通瞬間電壓和電流的乘積很大,造成的損失也就很大。降低開關時間,可以減小每次導通時的損失;降低開關頻率,可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。

4、MOS管驅動跟雙極性晶體管相比,一般認為使MOS管導通不需要電流,隻要GS電壓高於一定的值,就可以了。這個很容易做到,但是,我們還需要速度。在MOS管的結構中可以看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOSguandequdong,shijishangjiushiduidianrongdechongfangdian。duidianrongdechongdianxuyaoyigedianliu,yinweiduidianrongchongdianshunjiankeyibadianrongkanchengduanlu,suoyishunjiandianliuhuibijiaoda。xuanze/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。第二注意的是,普遍用於高端驅動的NMOS,導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同,所 以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個係統裏,要得到比VCC大的電壓,就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵,要注意的 是應該選擇合適的外接電容,以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓,設計時當然需要有一定的餘量。而且電壓越高,導通速度越快,導通電阻也越小。現在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域裏,但在12V汽車電子係統裏,一般4V導通就夠用了。MOS管的驅動電路及其損失,可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細,所以不打算多寫了。
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